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CAT28F020G-12TE13

更新时间： 2024-10-31 21:03:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	115K
描述
256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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CAT28F020G-12TE13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.3
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

CAT28F020G-12TE13 数据手册

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CAT28F020

Licensed Intel

2 Megabit CMOS Flash Memory

second source

FEATURES

■ Commercial, industrial and automotive

■ Fast read access time: 90/120 ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

– Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

– Standby: 1 mA max (TTL levels)

– Standby: 100 µA max (CMOS levels)

■ Stop timer for program/erase

■ On-chip address and data latches

■ JEDEC standard pinouts:

– 32-pin DIP

■ High speed programming:

– 10 µs per byte

– 32-pin PLCC

– 32-pin TSOP (8 x 20)

– 4 seconds typical chip program

■ 100,000 program/erase cycles

■ 10 year data retention

■ Electronic signature

■ 0.5 seconds typical chip-erase

■ 12.0V ± 5% programming and erase voltage

DESCRIPTION

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F020 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and E²PROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

BLOCK DIAGRAM

I/O –I/O

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

2,097,152 BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

5115 FHD F02

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1029, Rev. F

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CAT28F020G-15	CATALYST	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-15TE7	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-90	ONSEMI	获取价格	IC 256K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32, Program
CAT28F020G-90T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-12T	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-12T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-90T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-90T	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GI-12T	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory

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