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CAT28F020G-90T

更新时间： 2024-10-31 05:17:35

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CATALYST		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	431K
描述
2 Megabit CMOS Flash Memory

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CAT28F020G-90T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

CAT28F020G-90T 数据手册

CAT28F020

2 Megabit CMOS Flash Memory

Licensed Intel second source

FEATURES

I Commercial, industrial and automotive

I Fast read access time: 90/120 ns

temperature ranges

I Low power CMOS dissipation:

– Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

– Standby: 1 mA max (TTL levels)

– Standby: 100 µA max (CMOS levels)

I Stop timer for program/erase

I On-chip address and data latches

I JEDEC standard pinouts:

– 32-pin DIP

I High speed programming:

– 10 µs per byte

– 32-pin PLCC

– 32-pin TSOP (8 x 20)

– 4 seconds typical chip program

I 100,000 program/erase cycles

I 10 year data retention

I Electronic signature

I 0.5 seconds typical chip-erase

I 12.0V 5% programming and erase voltage

DESCRIPTION

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F020 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and E²PROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

BLOCK DIAGRAM

I/O –I/O

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

2,097,152 BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

5115 FHD F02

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. 1029, Rev. C

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CAT28F020GA-12T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
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CAT28F020GI-12TE13	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GI-12TE7	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020GI-90T	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
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