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CAT28C257GI12

更新时间： 2024-10-27 13:24:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 132K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C257GI12 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.1最长访问时间：120 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：128 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

CAT28C257GI12 数据手册

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CAT28C257  
256 kb CMOS Parallel  
EEPROM  
Description  
The CAT28C257 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel  
EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for  
in−system programming. On−chip address and data latches,  
http://onsemi.com  
self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write  
CC  
protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA  
Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed  
write cycle. Additionally, the CAT28C257 features hardware and  
software write protection.  
The CAT28C257 is manufactured using ON Semiconductor’s  
advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure  
100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.  
The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP or 32−pin  
PLCC packages.  
PDIP−28  
P, L SUFFIX  
CASE 646AE  
PLCC−32  
N, G SUFFIX  
CASE 776AK  
PIN FUNCTION  
Features  
Pin Name  
Function  
Address Inputs  
• Fast Read Access Times: 120/150 ns  
A −A  
0
14  
• Low Power CMOS Dissipation:  
I/O −I/O  
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
5 V Supply  
0
7
– Active: 25 mA Max.  
– Standby: 150 mA Max.  
CE  
• Simple Write Operation:  
– On−chip Address and Data Latches  
– Self−timed Write Cycle with Auto−clear  
• Fast Write Cycle Time:  
OE  
WE  
V
CC  
V
SS  
Ground  
− 5 ms Max.  
NC  
No Connect  
• CMOS and TTL Compatible I/O  
• Automatic Page Write Operation:  
− 1 to 128 Bytes in 5 ms  
− Page Load Timer  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 13 of this data sheet.  
• End of Write Detection:  
− Toggle Bit  
− DATA Polling  
• Hardware and Software Write Protection  
• 100,000 Program/Erase Cycles  
• 100 Year Data Retention  
• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 6  
CAT28C257/D  
1234567...13

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与CAT28C257GI12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C257GI-12T CATALYST

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C257GI-15 ONSEMI

获取价格

 		32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32
CAT28C257GI-15T CATALYST

获取价格

 		256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C257HN-12 CATALYST

获取价格

 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C257HN-12T CATALYST

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C257HN-15T CATALYST

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C257HN-90T CATALYST

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
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 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C257HNA-15T CATALYST

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 		256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
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