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CAT28C257GI-15

更新时间： 2024-10-27 13:26:51

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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13页	132K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C257GI-15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

CAT28C257GI-15 数据手册

CAT28C257

256 kb CMOS Parallel

EEPROM

Description

The CAT28C257 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel

EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for

in−system programming. On−chip address and data latches,

http://onsemi.com

self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write

protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA

Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed

write cycle. Additionally, the CAT28C257 features hardware and

software write protection.

The CAT28C257 is manufactured using ON Semiconductor’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure

100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.

The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP or 32−pin

PLCC packages.

PDIP−28

P, L SUFFIX

CASE 646AE

PLCC−32

N, G SUFFIX

CASE 776AK

PIN FUNCTION

Features

Pin Name

Function

Address Inputs

• Fast Read Access Times: 120/150 ns

A −A

• Low Power CMOS Dissipation:

I/O −I/O

Data Inputs/Outputs

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

5 V Supply

– Active: 25 mA Max.

– Standby: 150 mA Max.

• Simple Write Operation:

– On−chip Address and Data Latches

– Self−timed Write Cycle with Auto−clear

• Fast Write Cycle Time:

Ground

− 5 ms Max.

No Connect

• CMOS and TTL Compatible I/O

• Automatic Page Write Operation:

− 1 to 128 Bytes in 5 ms

− Page Load Timer

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 13 of this data sheet.

• End of Write Detection:

− Toggle Bit

− DATA Polling

• Hardware and Software Write Protection

• 100,000 Program/Erase Cycles

• 100 Year Data Retention

• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

December, 2009 − Rev. 6

CAT28C257/D

12 3 4 5 6 7...13

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