5秒后页面跳转
CAT28C256N-25 PDF预览

CAT28C256N-25

更新时间: 2024-10-27 20:22:55
品牌 Logo 应用领域
CATALYST 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 295K
描述
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

CAT28C256N-25 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.1
Is Samacsys:N最长访问时间:250 ns
其他特性:AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.55 mm最大待机电流:0.00015 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:YES
宽度:11.43 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
Base Number Matches:1

CAT28C256N-25 数据手册

 浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CAT28C256N-25的Datasheet PDF文件第7页 

与CAT28C256N-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C256N-25TE13 ONSEMI

获取价格

IC 32K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
CAT28C256N-25TE13 CATALYST

获取价格

EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256N-25TE7 ONSEMI

获取价格

暂无描述
CAT28C256N-30 CATALYST

获取价格

EEPROM, 32KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256N-30 ONSEMI

获取价格

32KX8 EEPROM 5V, 300ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NA12 ONSEMI

获取价格

256 kb Parallel EEPROM
CAT28C256NA-12 ONSEMI

获取价格

32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NA-12T CATALYST

获取价格

256K-Bit Parallel EEPROM
CAT28C256NA-12T ONSEMI

获取价格

256 kb Parallel EEPROM
CAT28C256NA15 ONSEMI

获取价格

256 kb Parallel EEPROM