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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.1 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CAT28C256NI-20TE7 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C256NI-20TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C256NI-25 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C256NI-25TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C256NI-25TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C256NI-30 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| CAT28C256NIA-12T | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM |
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| CAT28C256NIA-15T | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM |
|
| CAT28C256P12 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| CAT28C256P-12 | ONSEMI |
获取价格 |
IC 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM |
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