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Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT28C256NI-15T
CAT28C256NI-15T PDF预览

CAT28C256NI-15T

更新时间： 2024-11-19 06:46:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 144K
描述
256 kb Parallel EEPROM

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CAT28C256NI-15T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.04最长访问时间：150 ns
其他特性：10000 PROGRAM/ERASE CYCLES命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.965 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.55 mm最大待机电流：0.00015 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：11.425 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

CAT28C256NI-15T 数据手册

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CAT28C256  
256 kb Parallel EEPROM  
Description  
The CAT28C256 is a fast, low power, 5 V−only CMOS Parallel  
EEPROM organized as 32K x 8−bits. It requires a simple interface for  
in−system programming. On−chip address and data latches,  
self−timed write cycle with auto−clear and V power up/down write  
http://onsemi.com  
CC  
protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA  
Polling and Toggle status bits signal the start and end of the self−timed  
write cycle. Additionally, the CAT28C256 features hardware and  
software write protection.  
The CAT28C256 is manufactured using ON Semiconductor’s  
advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure  
100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.  
The device is available in JEDEC approved 28−pin DIP, 28−pin TSOP  
or 32−pin PLCC packages.  
TSOP−28  
T13, H13 SUFFIX  
CASE 318AE  
Features  
• Fast Read Access Times: 120/150 ns  
• Low Power CMOS Dissipation:  
– Active: 25 mA Max.  
– Standby: 150 mA Max.  
PDIP−28  
P, L SUFFIX  
CASE 646AE  
PLCC−32  
N, G SUFFIX  
CASE 776AK  
• Simple Write Operation:  
– On−chip Address and Data Latches  
– Self−timed Write Cycle with Auto−clear  
• Fast Write Cycle Time:  
PIN FUNCTION  
− 5 ms Max.  
Pin Name  
Function  
Address Inputs  
• CMOS and TTL Compatible I/O  
• Hardware and Software Write Protection  
• Automatic Page Write Operation:  
− 1 to 64 Bytes in 5 ms  
− Page Load Timer  
A −A  
0
14  
I/O −I/O  
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
5 V Supply  
0
7
CE  
OE  
• End of Write Detection:  
WE  
− Toggle Bit  
V
CC  
− DATA Polling  
V
Ground  
SS  
• 100,000 Program/Erase Cycles  
• 100 Year Data Retention  
• Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges  
NC  
No Connect  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 14 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 6  
CAT28C256/D  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C256NI-15TE13 CATALYST

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 		EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NI-15TE7 CATALYST

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 		EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NI-20 ONSEMI

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 		32KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		32KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NI-25 ONSEMI

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 		32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C256NI-25TE13 ONSEMI

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 		32KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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