是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
最大输入功率 (CW): | 46.99 dBm | JESD-609代码: | e3 |
最大工作频率: | 2700 MHz | 最小工作频率: | |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
射频/微波设备类型: | RF/MICROWAVE TERMINATION | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
C50AR | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, | |
C50AX500 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 95000mA I(T), 100V V(DRM), | |
C50B | WTE |
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50A AUTOMOTIVER RECTIFIER CELL | |
C50B | WON-TOP |
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Cell Diodes | |
C50BR | WTE |
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暂无描述 | |
C50BR-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 100V V(RRM), Silicon, | |
C50BX500 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 95000mA I(T), 200V V(DRM), | |
C50D | WTE |
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50A AUTOMOTIVER RECTIFIER CELL | |
C50D | WON-TOP |
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Cell Diodes | |
C50D-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon, |