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BZX84A4V3TRL

更新时间: 2024-09-18 13:34:39
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 277K
描述
4.3V, 0.35W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZX84A4V3TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.3 V最大反向电流:3 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:1%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

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