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BZX55T12

更新时间： 2024-09-17 14:47:15

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先科 - SWST		稳压二极管
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稳压二极管

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BZX55T12 数据手册

BZX55T Series

SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES

Max. 0.5

Features

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

• Very sharp reverse characteristic

• Low reverse current level

• Very high stability

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

• Low noise

• Available with tighter tolerances

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

Unit

Power Dissipation

500

175

Junction Temperature

T_j

Storage Temperature Range

T_Stg

- 65 to + 175

Maximum Thermal Resistance (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

R_thJA

Max.

300

Unit

K/W

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

1.5

Unit

Forward Voltage

at I_F= 200 mA

Dated : 21/06/2007

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