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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.31 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 9.1 V |
| 最大反向电流： | 0.7 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 电压温度Coeff-Max： | 7.2 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 25 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV85C9V1T/R | PHILIPS |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 1.3W, |
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| BZV85-C9V1T/R | NXP |
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DIODE 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, |
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| BZV85SERIES | ETC |
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Voltage regulator diodes |
|
| BZV86 | NXP |
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Low-voltage stabistors |
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| BZV86-1V4 | NXP |
获取价格 |
Low-voltage stabistors |
|
| BZV86-1V4 | NJSEMI |
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Diode 10V 0.2A 2-Pin ALF |
|
| BZV86-1V4/A52R | ETC |
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KONSTANTSPANNUNGS DIODE |
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| BZV86-1V4113 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-1V4116 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BZV86-1V4133 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
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