BZT52H-B18

更新时间： 2024-09-16 11:53:03

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恩智浦 - NXP		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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13页	119K
描述
Single Zener diodes in a SOD123F package

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BZT52H-B18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.375 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	18 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
最大电压容差：	2.22%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT52H-B18 数据手册

BZT52H series

Single Zener diodes in a SOD123F package

Rev. 3 — 7 December 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

General-purpose Zener diodes in a SOD123F small and flat lead Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features and benefits

Total power dissipation: ≤ 830 mW

Wide working voltage range: nominal

Low differential resistance

AEC-Q101 qualified

2.4 V to 75 V (E24 range)

Small plastic package suitable for

surface-mounted design

1.3 Applications

General regulation functions

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

I_F= 10 mA

T_amb≤ 25 °C

Min

Typ

Max

0.9

Unit

[1]

[2]

[3]

V_F

forward voltage

total power dissipation

P_tot

375

830

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm².

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

cathode

Simplified outline

Graphic symbol

[1]

anode

006aaa152

[1] The marking bar indicates the cathode.

12 3 4 5 6 7...13

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