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BZT52H-B10 PDF预览

BZT52H-B10

更新时间： 2024-11-07 11:09:47
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 328K
描述
Voltage regulator diodesProduction

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BZT52H-B10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.77配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.375 W
标称参考电压：10 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：2%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52H-B10 数据手册

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BZT52H series  
Voltage regulator diodes  
Rev. 7 — 1 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
General-purpose Zener diodes in an SOD123F small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD)  
plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Total power dissipation: ≤ 830 mW  
•
•
•
Three tolerance series: ±1 %, ±2 % and approximately ±5 %  
Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)  
Small plastic package suitable for surface-mounted design  
3. Applications  
•
General regulation functions  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
IF = 10 mA  
Tamb ≤ 25 °C  
Min  
[1] -  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
VF  
forward voltage  
total power dissipation  
-
-
-
Ptot  
[2] -  
[3] -  
375  
830  
mW  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.  
 
 
 
 
 
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BZT52H-B10 替代型号

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