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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> BZT52C3V9
BZT52C3V9 PDF预览

BZT52C3V9

更新时间： 2024-11-06 22:56:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 407K
描述
410 mW Zener Diodes 2.4 to 39 Volts

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BZT52C3V9 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.08Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：3.9 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压容差：5.13%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52C3V9 数据手册

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BZT52C2V4  
THRU  
BZT52C39  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
410 mW  
l
l
l
l
Planar Die construction  
410mW Power Dissipation  
Zener Voltages from 2.4V - 39V  
Zener Diodes  
2.4 to 39 Volts  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Mechanical Data  
l
l
l
l
l
Case: SOD-123 Molded Plastic  
SOD123  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.008 gram  
A
B
Mounting Position: Any  
Storage & Operating Junction Temperature: -55oC to +150oC  
C
E
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
Zener Current  
Maximum Forward  
Voltage  
IF  
VF  
100  
1.2  
mA  
V
H
D
Power Dissipation  
(Notes A)  
Peak Forward Surge  
Current (Notes B)  
P(AV)  
410  
2.0  
mWatt  
Amps  
J
G
DIMENSIONS  
IFSM  
DIM  
INCHES  
MIN  
MM  
NOTE  
MAX  
.152  
.112  
.071  
.053  
.031  
-----  
.01  
MIN  
3.55  
2.55  
1.40  
-----  
0.30  
0.15  
-----  
-----  
MAX  
3.85  
2.85  
1.80  
1.35  
.78  
-----  
.25  
.15  
NOTES:  
A
B
C
D
E
G
H
J
.140  
.100  
.055  
-----  
.012  
.006  
-----  
-----  
A. Mountedon5.0mm2(.013mmthick)landareas.  
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent  
squarewave, dutycycle=4pulsesperminutemaximum.  
.006  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.093"  
0.048”  
0.036”  
www.mccsemi.com  
1234

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BZT52C3V9 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BZT52-C3V9-7 DIODES

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 		3.9V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
BZT52C3V9-7 DIODES

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BZT52C3V9-7-F CDIL

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BZT52-C3V9D3 VISHAY

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 		DIODE 3.9 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Volta

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