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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 310 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 459 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 300 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 330 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT03-C330AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C330T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 330V V(RWM), Unidirectional, |
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| BZT03-C330T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C33AMO | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C33AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C33T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C33T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C33-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 1.3W, |
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| BZT03C33-TR | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 1.3W, |
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| BZT03C36 | LGE |
获取价格 |
POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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