BZT03C33-TR

更新时间： 2024-02-19 02:25:36

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
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6页	126K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 1.3W,

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BZT03C33-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	15 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	33 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	6.1%	Base Number Matches：	1

BZT03C33-TR 数据手册

BZT03-Series

Vishay Semiconductors

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• Hermetically sealed package

• Clamping time in picoseconds

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Applications

949539

Medium power voltage regulators and medium power

transient suppression circuits

Mechanical Data

Case: SOD-57 Sintered glass case

Weight: approx. 369 mg

Packaging Codes/Options:

TAP / 5 k Ammopack (52 mm tape) / 25 k/box

TR / 5 k 10" reel

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Power dissipation

Test condition

Symbol

P_V

Value

3.25

Unit

l = 10 mm, T_L= 25 °C

_amb= 25 °C

P_V

1.3

Repetitive peak reverse power

dissipation

P_ZRM

Non repetitive peak surge power t_p= 100 µs, T_j= 25 °C

P_ZSM

600

dissipation

Junction temperature

T_j

175

°C

Storage temperature range

T_stg

- 65 to + 175

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

l = 10 mm, T_L= constant

on PC board with spacing 25 mm

Symbol

R_thJA

Value

Unit

Junction ambient

K/W

R_thJA

100

Electrical Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

I_F= 0.5 A

Symbol

V_F

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Forward voltage

Document Number 85599

Rev. 1.4, 13-Jul-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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