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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT03-C390T/R | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C39AMO | PHILIPS |
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Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C39AMO | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C39T/R | PHILIPS |
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Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C39T/R | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C39-TAP | VISHAY |
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TVS DIODE 33V 54.1V SOD57 |
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| BZT03C39-TR | VISHAY |
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Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification |
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| BZT03C43 | SEMTECH |
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SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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| BZT03C43 | VISHAY |
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Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
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| BZT03C43 | LGE |
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POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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