BZM55C30

更新时间： 2024-09-19 12:21:23

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鲁光 - LGE		稳压二极管齐纳二极管测试
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Zener Diodes

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BZM55C30 技术参数

Case Style：	MICRO MELF	Pd（W）：	0.5
VZ(Min)：	28	VZ(Nom)：	30
VZ(Max)：	32	IZT(mA)：	5.0
IR(uA)：	2	VR(V)：	22
class：	Diodes

BZM55C30 数据手册

BZM55C Series

Zener Diodes

MINI-MELF

Cathode indification

Features

Small surface mounting type

High reliability

0.4 0.1

3.4 ^+0.3

Applications

-0.1

Voltage stabilization

Dimensions in millimeters

Construction

Silicon epitaxial planar

Absolute Maximum Ratings

T_j=25℃

Parameter

Power dissipation

Z-current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

_thJA≦300K/W

Type

Symbol

Value

500

P_V/V_Z

175

-65~+175

Unit

℃

P_V

I_Z

T_j

T_stg

℃

Maximum Thermal Resistance

T_j=25℃

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on PC board 50mm×50mm×1.6mm

Symbol

R_thJA

Value

500

Unit

K/W

Electrical Characteristics

T_j=25℃

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I_F=200mA

Type

Symbol Min

V_F

Typ Max Unit

1.5

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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BZM55C30BS	RECTRON	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODE
BZM55C30BSA	RECTRON	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODE
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