BZM55C33

更新时间： 2024-11-07 22:48:39

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
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6页	84K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZM55C33 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	33 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.06%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZM55C33 数据手册

BZM55C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Saving space

Hermetic sealed parts

Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints

Electrical data identical with the devices

BZT55C... / TZMC...

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

96 12315

Low noise

Available with tighter tolerances

Applications

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

300K/W

Type

Symbol

Value

500

Unit

thJA

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol Value Unit

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1

Junction tie point 35 m copper clad, 0.9 mm copper area per electrode

thJL

500

300

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.5

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85598

Rev. 3, 01-Apr-99

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