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BZG04-110

更新时间: 2024-10-31 22:32:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
7页 35K
描述
Transient voltage suppressor diodes

BZG04-110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AC包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.82其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:124 V最大钳位电压:185 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BZG04-110 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
68  
BZG04 series  
Transient voltage suppressor  
diodes  
1996 Sep 19  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1996 Jun 10  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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