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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BZG04-11-TR
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BZG04-11-TR

更新时间： 2024-11-05 13:00:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
5页 83K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214, PLASTIC, SIMILAR TO SMA, 2 PIN

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BZG04-11-TR 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：12.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散：300 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BZG04-11-TR 数据手册

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BZG04-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Zener Diodes with Surge Current Specification  
FEATURES  
• High reliability  
• Stand-off voltage range 8.2 V to 220 V  
• Excellent clamping cabability  
• Fast response time (typ. £ 1 ps from 0 to VZmin.  
• AEC-Q101 qualified  
)
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
APPLICATIONS  
• Protection from high voltage, high energy transients  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
10 to 270  
2 to 50  
UNIT  
V
mA  
Pulse current  
Single  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
BZG04-series-TR3  
BZG04-series-TR  
TAPED UNITS PER REEL  
6000 per 13" reel  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZG04-series  
6000/box  
BZG04-series  
1500 per 7" reel  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY  
SOLDERING  
CONDITIONS  
PACKAGE NAME  
WEIGHT  
77 mg  
FLAMMABILITY RATING  
LEVEL  
MSL level 1  
DO-214AC  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
(according J-STD-020)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
mW  
RthJA < 25 K/W, Tamb = 100 °C  
RthJA < 100 K/W, Tamb = 50 °C  
Ptot  
3000  
1250  
Power dissipation  
Ptot  
mW  
Non repetitive peak surge power  
dissipation  
tp = 10/1000 μs sq.pulse,  
Tj = 25 °C prior to surge  
PZSM  
300  
W
Peak forward surge current  
Junction to lead  
10 ms single half sine wave  
IFSM  
RthJL  
RthJA  
RthJA  
RthJA  
Tj  
50  
25  
A
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
°C  
Mounted on epoxy-glass hard tissue,fig. 1b  
Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1b  
Mounted on Al-oxid-ceramic (Al2O3), fig. 1b  
150  
Junction to ambient air  
125  
100  
Junction temperature  
150  
Storage temperature range  
Forward voltage (max.)  
Tstg  
VF  
- 65 to + 150  
1.2  
°C  
IF = 0.5 A  
V
Rev. 2.4, 29-Nov-11  
Document Number: 85594  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZG0411TR3 VISHAY

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 		300W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214, PLASTIC, DO-214, 2 PIN
BZG04-11-TR3 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional,
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BZG04-12/TR VISHAY

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