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BZD27C10P-GS18

更新时间： 2024-11-04 12:42:39

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C10P-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-219AB	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-219AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	10 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	6%	工作测试电流：	50 mA
Base Number Matches：	1

BZD27C10P-GS18 数据手册

BZD27C3V6P to BZD27C200P

Vishay Semiconductors

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Sillicon Planar Zener Diodes

• Low profile surface-mount package

• Zener and surge current specification

• Low leakage current

17249

• Excellent stability

• High temperature soldering:

260 °C/10 sec. at terminals

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Packaging codes/options:

GS18 / 10 k per 13 " reel, (8 mm tape), 50 k/box

GS08 / 3 k per 7 " reel, (8 mm tape), 30 k/box

Mechanical Data

Case: JEDEC DO-219AB (SMF ) Plastic case

Weight: approx. 15 mg

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Power dissipation

Test condition

T_L= 80 °C

_A= 25 °C

Symbol

P_tot

Value

2.3

Unit

0.8¹⁾

300

P_tot

100 µs square pulse²⁾

Non-repetitive peak pulse power

dissipation

P_ZSM

10/1000 µs waveform (BZD27-

C7V5P to BZD27-C100P)²⁾

10/1000 µs waveform (BZD27-

C110P to BZD27-C200P)²⁾

P_RSM

150

100

¹⁾Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)

²⁾T_J= 25 °C prior to surge

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

180

Unit

K/W

Thermal resistance junction to ambient air¹⁾

Thermal resistance junction to lead

R_thJL

T_j

150

K/W

°C

Maximum junction temperature

Storage temperature range

T_S

- 55 to + 150

°C

¹⁾Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)

Electrical Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Forward voltage

Test condition

I_F= 0.2 A

Symbol

V_F

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Document Number 85810

Rev. 1.8, 13-Apr-05

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...9

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与BZD27C10P-GS18相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZD27C10P-HE3-08	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C10P-HE3-18	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 800MW SMF DO219
BZD27C10P-M	VISHAY	获取价格	Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C10P-M08	VISHAY	获取价格	DIODE 10 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE
BZD27C10P-M18	VISHAY	获取价格	DIODE 10 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE
BZD27C10P-M3-08	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 2.3W,
BZD27C10P-TP	MCC	获取价格	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-
BZD27C10PV	RECTRON	获取价格	Package / Case : SOD-123F(L)-1;Mounting Style : SMT/SMD;Zener Voltage Vz (V) : 10 V;Zener
BZD27C10T/R	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 2.3W,
BZD27-C10T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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