5秒后页面跳转
BZD23-C160AMO PDF预览

BZD23-C160AMO

更新时间: 2024-11-11 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD23-C160AMO 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最大击穿电压:171 V
最小击穿电压:153 V击穿电压标称值:160 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:224 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大动态阻抗:350 Ω
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:160 V
最大反向电流:5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZD23-C160AMO 数据手册

 浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZD23-C160AMO的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

与BZD23-C160AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD23C160T/R PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 160V V(Z), 5%, 2.5W,
BZD23-C160T/R NXP

获取价格

DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
BZD23C16AMO PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 16V V(Z), 5%, 2.5W,
BZD23-C16AMO NXP

获取价格

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
BZD23C18 NXP

获取价格

DIODE 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode
BZD23-C18 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes
BZD23C180 NXP

获取价格

DIODE 180 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode
BZD23-C180 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes
BZD23C180AMO PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 180V V(Z), 5%, 2.5W,
BZD23-C180AMO NXP

获取价格

DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG-2, Transien