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BZD23-C200AMO

更新时间: 2024-09-23 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG-2, Transient Suppressor

BZD23-C200AMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最小击穿电压:188 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:276 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZD23-C200AMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

与BZD23-C200AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD23C200T/R PHILIPS

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DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
BZD23C20AMO PHILIPS

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