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BZD23-C200T/R

更新时间: 2024-11-12 03:03:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD23-C200T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最小击穿电压:188 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:276 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL

BZD23-C200T/R 数据手册

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