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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 188 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 276 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗： | 500 Ω |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 150 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZD23-C200/A52A | NXP |
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DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZD23-C200/A52R | NXP |
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DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZD23C200AMO | PHILIPS |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 2.5W, |
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| BZD23-C200AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG-2, Transien |
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| BZD23C200T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 2.5W, |
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| BZD23-C200T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZD23C20AMO | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 2.5W, |
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| BZD23-C20AMO | PHILIPS |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZD23C20T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 2.5W, |
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| BZD23-C20T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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