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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 40 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW36GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 600V CURRENT: 2.0A |
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| BYW36-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| BYW4200B | STMICROELECTRONICS |
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HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODE |
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| BYW4200B-RL | STMICROELECTRONICS |
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HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODE |
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| BYW4200B-TR | ETC |
获取价格 |
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODES |
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| BYW51 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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| BYW51-100 | INTERSIL |
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8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes |
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| BYW51-100A | STMICROELECTRONICS |
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10A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYW51-150 | INTERSIL |
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8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes |
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| BYW51-150A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
10A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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