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BYW51G-200 PDF预览

BYW51G-200

更新时间： 2024-11-22 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管功效快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 141K
描述
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

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BYW51G-200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.62其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.15 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：15 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BYW51G-200 数据手册

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BYW51/F/G/FP/R-200  
®
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 10 A  
200 V  
K
A2  
Tj (max)  
VF (max)  
trr (max)  
150 °C  
0.85 V  
25 ns  
A2  
K
A1  
TO-220FPAB  
BYW51FP-200  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
K
A1  
■
■
■
■
■
SUITED FOR SMPS  
TO-220AB  
BYW51-200  
VERY LOW FORWARD LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
INSULATED PACKAGES (ISOWATT220AB /  
TO-220FP) :  
K
A2  
A1  
D2PAK  
Insulation voltage = 2000 V DC  
Capacitance = 12 pF  
BYW51G-200  
A2  
K
DESCRIPTION  
A1  
Dual center tap rectifier suited for Switched Mode  
Power Supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
ISOWATT220AB  
BYW51F-200  
Packaged in TO-220AB, ISOWATT220AB,  
TO-220FP, D2PAK or I2PAK, this device is  
intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling and polarity protection  
applications.  
A2  
K
A1  
I2PAK  
BYW51R-200  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
20  
Unit  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
V
A
A
IF(AV)  
Average forward current TO-220AB / D2PAKTc=120°C Per diode  
10  
δ = 0.5  
I2PAK  
Per device  
20  
ISOWATT220AB Tc=95°C Per diode  
10  
Per device  
20  
Tc=85°C  
10  
TO-220FPAB  
Per diode  
20  
Per device  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp=10ms sinusoidal  
100  
A
IFSM  
Tstg  
Tj  
- 65 to + 150 °C  
150 °C  
Maximum operating junction temperature  
August 2002 - Ed: 3E  
1/9  
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BYW51G-200 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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