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BYW51-150

更新时间： 2024-09-24 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes

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BYW51-150 数据手册

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BYW51-100, BYW51-150, BYW51-200  
June 1995  
File Number 1412.2  
8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes  
Features  
• Ultra Fast Recovery Time (<35ns)  
• Low Forward Voltage  
The BYW51 series devices are low forward voltage drop,  
ultra-fast-recovery rectifiers (t  
< 35ns). They use a planar  
RR  
ion-implanted epitaxial construction.  
• Low Thermal Resistance  
• Planar Design  
These devices are intended for use as output rectifiers and  
fly-wheel diodes in a variety of high-frequency pulse-width-  
modulated and switching regulators. Their low stored charge  
and attendant fast reverse-recovery behavior minimize elec-  
trical noise generation and in many circuits markedly reduce  
the turn-on dissipation of the associated power switching  
transistors.  
• Wire-Bonded Construction  
Applications  
• General Purpose  
• Power Switching Circuits to 100kHz  
• Full-Wave Rectification  
Ordering Information  
PACKAGING AVAILABILITY  
PART NUMBER  
BYW51-100  
PACKAGE  
TO-220AB  
BRAND  
BYW51100  
Package  
JEDEC TO-220AB  
BYW51-150  
TO-220AB  
TO-220AB  
BYW51150  
BYW51200  
ANODE 1  
BYW51-200  
CATHODE  
ANODE 2  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
CATHODE  
(FLANGE)  
Symbol  
K
A1  
A2  
Absolute Maximum Ratings Per Junction  
BYW51-100  
BYW51-150  
BYW51-200  
UNITS  
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . V  
Maximum Peak Surge Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
110  
100  
20  
150  
165  
100  
20  
200  
220  
100  
20  
V
V
A
A
A
RRM  
RSM  
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . l  
, t < 10µs  
FRM  
P
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . l (RMS), Total  
F
Average Rectified forward Current . . . . . . . . . . . . . . l  
, Total  
= +125 C, a = 0.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
8
8
8
F(AV)  
o
T
C
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . l  
100  
100  
100  
A
FSM  
o
t
= 10ms, Sinusoidal  
P
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . P , T = +125 C  
20  
-40 + 150  
260  
20  
-40 + 150  
260  
20  
-40 + 150  
260  
W
D
C
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
C
J
o
T
(Lead Temperature During Soldering). . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
C
L
1
At Distance > / in. (3.17mm) From Case For 10s max.  
8
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
123

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