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BYVB32-100-E3/81

更新时间： 2024-10-30 22:59:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB

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BYVB32-100-E3/81 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.52
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：9 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BYVB32-100-E3/81 数据手册

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BYV32-xxx, BYVF32-xxx, BYVB32-xxx  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Power pack  
• Glass passivated pallet chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
3
3
2
2
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
245 °C (for TO-263AB package)  
1
BYV32 Series  
BYVF32 Series  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 2  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
(for TO-220AB and ITO-220AB package)  
PIN 3  
PIN 3  
TO-263AB  
K
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
BYVB32 Series  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and other power switching application.  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
18 A  
Base P/N-E3  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
-
RoHS-compliant, commercial grade  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V to 200 V  
150 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
25 ns  
VF  
0.85 V  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TJ max.  
150 °C  
TO-220AB, ITO-220AB,  
TO-263AB  
Polarity: As marked  
Package  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
Diode variations  
Common cathode  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL BYV32-50 BYV32-100 BYV32-150 BYV32-200  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 125 °C  
100  
IF(AV)  
18  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
150  
A
°C  
V
Operating storage and temperature range  
-65 to +150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
Revision: 20-Feb-15  
Document Number: 88558  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYVB32-100HE3/45 VISHAY

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 		DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
BYVB32-100-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
BYVB32-100HE3/81 VISHAY

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 		DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
BYVB32-100-HE3/81 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
BYVB32-150 VISHAY

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 		FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
BYVB32-150-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 18A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
BYVB32-150-E3/81 VISHAY

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