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BYVB32-200-E3/31

更新时间： 2024-02-25 20:35:04
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 18A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BYVB32-200-E3/31 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最大输出电流：18 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYVB32-200-E3/31 数据手册

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BYV(F,B)32-50 thru BYV(F,B)32-200  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
BYV32 Series  
BYVF32 Series  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AB &  
ITO-220AB package)  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
TO-263AB  
K
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, free-wheeling diodes,  
dc-to-dc converters, and other power switching  
application.  
1
BYVB32 Series  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
18 A  
50 V to 200 V  
150 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
25 ns  
VF  
0.85 V  
Polarity: As marked  
Tj max.  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL BYV32-50 BYV32-100 BYV32-150 BYV32-200  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 125 °C  
100  
IF(AV)  
18  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
150  
A
°C  
V
Operating storage and temperature range  
- 65 to + 150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
From terminal to heatsink t = 1 minute  
Document Number 88558  
18-Aug-06  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYVB32-200-E3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier
BYVB32-200-E3/81 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier
BYVB32-200HE3 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier
BYVB32-200HE3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier
BYVB32-200-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
BYVB32-200HE3/81 VISHAY

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 		FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 18A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3
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 		DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
BYVB32-50-E3/81 VISHAY

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 		DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB

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