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BYVF32-100 PDF预览

BYVF32-100

更新时间： 2024-09-30 03:10:43
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Dual Ultrafast Plastic Rectifiers

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BYVF32-100 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

BYVF32-100 数据手册

 浏览型号BYVF32-100的Datasheet PDF文件第2页 
Dual Ultrafast Plastic Rectifiers  
BYVF32 Series  
ITO-220AB  
PRV : 50 - 200 Volts  
Io : 18 Ampere  
0.134(3.4)DIA.  
0.113(3.0)DIA.  
0.185(4.70)Max.  
0.124(3.16)Max.  
0.406(10.3)MAX.  
0.112(2.85)  
0.100(2.55)  
FEATURES :  
0.272(6.9)  
0.248(6.3)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* Low leakage, high voltage  
* Glass passivated chip junction  
* Pb / RoHS Free  
0.603(15.5)  
0.573(14.8)  
1
2 3  
0.110(2.8)  
0.098(2.5)  
0.161(4.1)Max.  
0.055(1.4)Max.  
0.543(13.8)  
0.512(13.2)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Epoxy, Molded  
* Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
* Polarity: As marked  
0.035(0.9)Max.  
PIN 3  
0.030(0.76)Max.  
0.100(2.55)  
PIN 1  
PIN 2  
* Mounting Position: Any  
* Weight : 2.24 grams (Approximately)  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =25°C unless otherwise specified.)  
BYVF32-  
100  
BYVF32-  
RATING  
SYMBOL BYVF32-50  
BYVF32-150  
UNIT  
200  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
150  
105  
150  
200  
V
V
V
A
70  
140  
200  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current, Tc = 100°C  
Maximum Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method) at Tc = 100°C  
Maximum Instantaneous Forward Voltage per Leg  
at IF = 20A  
18  
IFSM  
VF  
150  
A
V
1.15  
0.85  
IF = 5.0A, Tj = 100°C  
IR  
10 (Tc = 25°C)  
Maximum Reverse Current per Leg  
at Rated DC Blocking Voltage  
mA  
mA  
IR(H)  
600 (Tc = 100°C)  
Maximum Reverse Recovery Time per Leg  
(IF = 1A, VR = 30V , di/dt = 100A/µs, Irr = 10%IRM)  
Typical junction capacitance at 4V, 1MHz  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
Operating storage and temperature range  
Trr  
35  
ns  
Cj  
85  
3.0  
pF  
°C/W  
°C  
RθJC  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 25, 2005  
12

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与BYVF32-100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYVF32-100-E3/45 VISHAY

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 		DIODE ARRAY GP 100V 18A ITO220AB
BYVF32-100HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
BYVF32-100-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
BYVF32-150 EIC

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 		Dual Ultrafast Plastic Rectifiers
BYVF32-150 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 18A, 150V V(RRM)
BYVF32-150/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 18A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220
BYVF32-150-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
BYVF32-150HE3/45 VISHAY

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 		DIODE ARRAY GP 150V 18A ITO220AB
BYVF32-150-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 9 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
BYVF32-200 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 18A, 200V V(RRM)

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