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BYV98-050-TR

更新时间： 2024-10-31 04:12:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
DIODE 4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode

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BYV98-050-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：70 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

BYV98-050-TR 数据手册

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BYV98  
Vishay Semiconductors  
Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• High reverse voltage  
• Glass passivated  
e2  
• Low reverse current  
949588  
• Low forward voltage drop  
• Hermetically sealed axial-leaded glass envelope  
Mechanical Data  
Case: SOD-64 Sintered glass case  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Applications  
Switched-mode power supplies  
Weight: approx. 858 mg  
High-frequency inverter circuits  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 50 V; IFAV = 4 A  
Package  
SOD-64  
BYV98-50  
BYV98-100  
BYV98-150  
BYV98-200  
V
V
V
R = 100 V; IFAV = 4 A  
R = 150 V; IFAV = 4 A  
R = 200 V; IFAV = 4 A  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
see electrical characteristics  
BYV98-50  
VR = VRRM  
BYV98-100  
BYV98-150  
BYV98-200  
VR = VRRM  
100  
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
150  
V
200  
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half-sinewave  
70  
A
Tamb = 30 °C, l = 10 mm  
IFAV  
4
A
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
Non repetitive reverse  
avalanche energy  
I(BR)R = 1 A  
ER  
20  
mJ  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction ambient  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
25  
Unit  
Lead length l = 10 mm,  
TL = constant  
K/W  
Document Number 86046  
Rev. 1.6, 14-Apr-05  
www.vishay.com  
1
12345

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