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BYV97GT/R

更新时间: 2024-10-31 03:04:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 56K
描述
DIODE 0.9 A, 1400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYV97GT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.9 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1400 V
最大反向恢复时间:0.5 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

BYV97GT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV97 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Jun 07  
Product specification  
Supersedes data of February 1994  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DIODE 4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
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