BUT70W

更新时间： 2024-02-09 05:42:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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描述
HIGH POWER NPN TRANSISTOR

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BUT70W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	5.74	集电极-发射极最大电压：	125 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUT70W 数据手册

BUT70W

HIGH POWER NPN TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT CAPABILITY

FAST SWITCHING SPEED

VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND

HIGH GAIN

APPLICATION

■

SWITCHING REGULATORS

MOTOR CONTROL

HIGH FREQUENCY AND EFFICENCY

CONVERTERS

TO-247

DESCRIPTION

The BUT70W is a Multiepitaxial planar NPN

transistor in TO-247 plastic package.

It’s intented for use in high frequency and

efficiency converters such us motor controllers

and industrial equipment.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEV

Parameter

Collector-emitter Voltage (V_BE= -1.5V)

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Value

Unit

200

V_CEO

125

V_EBO

I_E(RMS)Emitter Current

I_EMEmitter Peak Current

I_B

120

Base Current

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base Peak Current

200

^oC

Total Power Dissipation at T_case< 25 C

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max Operating Junction Temperature

1/4

February 2002

12 3 4

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