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BUT76AF

更新时间： 2024-01-20 21:11:38

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUT76AF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	12 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	3.2	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUT76AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT76AF

DESCRIPTION

·High Voltage

·High Speed Switching

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for switching mode power supply, inverters,

motor control and relay driver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1000

450

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.13 ℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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