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BUT76

更新时间： 2024-01-24 23:57:06

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUT76 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	12 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	3.2	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUT76 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUT76 BUT76A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High voltage;high speed

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Switching mode power supply

·Motor control and relay driver

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolut maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

850

1000

400

450

UNIT

BUT76

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

BUT76A

BUT76

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

BUT76A

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_CM

I_BM

P_tot

T_j

Collector current-peak

Base current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

110

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction to mounting case

1.13

K/W

R_{th j-c}

12 3

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