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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 450 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT56AN | MOTOROLA |
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8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BUT56AS | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT56AT | MOTOROLA |
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8A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BUT56AU | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT56AU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT56AUA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT56AW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT56AWD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT70 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| BUT70MC | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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