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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9Y40-55B
BUK9Y40-55B PDF预览

BUK9Y40-55B

更新时间： 2024-01-02 15:06:34
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 187K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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BUK9Y40-55B 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC, LFPAK-4
针数：235Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：36 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：106 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK9Y40-55B 数据手册

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BUK9Y40-55B  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 03 — 22 February 2008  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This  
product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in  
automotive critical applications.  
1.2 Features  
„ 175 °C rated  
„ Logic level compatible  
„ Q101 compliant  
„ Very low on-state resistance  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V loads  
„ Automotive systems  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
ID  
drain current  
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C;  
-
-
26  
A
see Figure 1 and 4  
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
59  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 5 V; ID = 15 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 12 and  
13  
-
-
34  
-
40  
36  
mΩ  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
ID = 26 A; Vsup ≤ 55 V;  
mJ  
drain-sourceavalanche RGS = 50 Ω; VGS = 5 V;  
energy Tj(init) = 25 °C; unclamped  
1234567...12

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BUK9Y40-55B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK9Y40-55B,115 NXP

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y40-55BT/R NXP

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,18A I(D),SOT-669
BUK9Y41-80E NEXPERIA

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 		N-channel 80 V, 45 mΩ logic level MOSFET in L
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