是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | PLASTIC, LFPAK-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 36 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 26 A | 最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-235 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 59 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 106 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BUK9Y40-55B | NXP |
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BUK9Y40-55BT/R | NXP |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,18A I(D),SOT-669 |
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BUK9Y41-80E,115 | NXP |
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BUK9Y4R4-40E | NXP |
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BUK9Y4R4-40E | NEXPERIA |
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BUK9Y4R4-40E,115 | NXP |
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BUK9Y4R4-40E - N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic l |
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BUK9Y4R8-60E | NXP |
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