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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, LFPAK-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 59 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 106 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y40-55B | NXP |
类似代替  |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9Y40-55B | NEXPERIA |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y40-55BT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,18A I(D),SOT-669 |
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| BUK9Y41-80E | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 45 mΩ logic level MOSFET in L |
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| BUK9Y41-80E | NXP |
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N-channel 80 V, 45 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y41-80E,115 | NXP |
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BUK9Y41-80E - N-channel 80 V, 45 mΩ logic lev |
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| BUK9Y43-60E | NXP |
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N-channel 60 V, 43 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y43-60E | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 43 mΩ logic level MOSFET in L |
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| BUK9Y4R4-40E | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y4R4-40E | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y4R4-40E,115 | NXP |
获取价格 |
BUK9Y4R4-40E - N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic l |
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| BUK9Y4R8-60E | NXP |
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N-channel 60 V, 4.8 mΩ logic level MOSFET in |
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