Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9Y40-55BT/R

BUK9Y40-55BT/R

更新时间： 2024-01-25 11:46:21

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
12页	187K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,18A I(D),SOT-669

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9Y40-55BT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	59 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BUK9Y40-55BT/R 数据手册

BUK9Y40-55B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 03 — 22 February 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This

product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in

automotive critical applications.

1.2 Features

175 °C rated

Logic level compatible

Q101 compliant

Very low on-state resistance

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1 and 4

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 15 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12 and

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

I_D= 26 A; V_sup≤ 55 V;

drain-sourceavalanche R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与BUK9Y40-55BT/R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9Y41-80E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 45 mΩ logic level MOSFET in L
BUK9Y41-80E	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 45 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y41-80E,115	NXP	获取价格	BUK9Y41-80E - N-channel 80 V, 45 mΩ logic lev
BUK9Y43-60E	NXP	获取价格	N-channel 60 V, 43 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y43-60E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 60 V, 43 mΩ logic level MOSFET in L
BUK9Y4R4-40E	NXP	获取价格	N-channel 40 V, 4.4 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y4R4-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y4R4-40E,115	NXP	获取价格	BUK9Y4R4-40E - N-channel 40 V, 4.4 mΩ logic l
BUK9Y4R8-60E	NXP	获取价格	N-channel 60 V, 4.8 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y4R8-60E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 60 V, 4.8 mΩ logic level MOSFET in