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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.34 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 135 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 622 A | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7Y3R5-40E,115 | NXP |
获取价格 |
BUK7Y3R5-40E - N-channel 40 V, 3.5 mΩ standar |
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| BUK7Y3R5-40H | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 3.5 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y41-80E | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 41 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y41-80E | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 41 mΩ standard level MOSFET i |
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| BUK7Y43-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 43 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y43-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 43 mΩ standard level MOSFET i |
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| BUK7Y4R4-40E | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V, 4.4 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y4R4-40E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 4.4 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y4R8-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 4.8 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y4R8-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 4.8 mΩ standard level MOSFET |
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