是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
雪崩能效等级(Eas): | 81 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 24.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.053 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 99 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK7Y53-100B,115 | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET SOIC 4-Pin |
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BUK7Y54-75B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
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BUK7Y59-60E | NXP |
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N-channel 60 V, 59 mΩ standard level MOSFET |
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BUK7Y59-60E | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 59 mΩ standard level MOSFET i |
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BUK7Y59-60EX | NXP |
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BUK7Y59-60E - N-channel 60 V, 59 mΩ standard |
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BUK7Y65-100E | NEXPERIA |
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N-channel 100 V, 65 mΩ standard level MOSFET |
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BUK7Y65-100E | NXP |
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N-channel 100 V, 65 mΩ standard level MOSFET |
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BUK7Y6R0-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 6.0 mΩ standard level MOSFET |
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BUK7Y6R0-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 6.0 mΩ standard level MOSFET |
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BUK7Y72-80E | NXP |
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N-channel 80 V, 72 mΩ standard level MOSFET |
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