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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4 | 针数： | 235 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 21.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.054 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 86 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | PURE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7Y59-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 59 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y59-60E | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 59 mΩ standard level MOSFET i |
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| BUK7Y59-60EX | NXP |
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BUK7Y59-60E - N-channel 60 V, 59 mΩ standard |
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| BUK7Y65-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 65 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y65-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 65 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y6R0-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 6.0 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y6R0-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 6.0 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y72-80E | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 72 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y72-80E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V, 72 mΩ standard level MOSFET i |
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| BUK7Y7R0-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 7.0 mΩ standard level MOSFET |
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