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BUK7Y12-55B

更新时间： 2024-02-10 13:32:24
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
14页 195K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK7Y12-55B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, LFPAK-4针数：235
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：129 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：61.8 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：247 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK7Y12-55B 数据手册

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BUK7Y12-55B  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 03 — 7 April 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This  
product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in  
automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for standard level gate drive  
sources  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V loads  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
„ Advanced braking systems (ABS)  
„ Automotive systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
55  
V
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1; see Figure 4  
61.8  
105  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 20 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 13;  
see Figure 12  
-
-
-
8.2  
-
12  
mΩ  
on-state  
resistance  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S  
non-repetitive  
drain-source  
ID = 61.8 A; Vsup ≤ 55 V;  
RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
129 mJ  
avalanche energy Tj(init) = 25 °C; unclamped  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge ID = 20 A; VDS = 44 V;  
VGS = 10 V; see Figure 14  
14.8  
-
nC  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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