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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 1.01 |
| Samacsys Description： | MOSFET N-channel 80 V 14 mo FET | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 76.8 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 65 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 259 A | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7Y15-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 15 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y15-100EX | ETC |
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MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK |
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| BUK7Y153-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 153 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y153-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 153 mΩ standard level MOSFE |
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| BUK7Y15-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 15 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y15-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 60 V, 15 mΩ standard level MOSFET i |
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| BUK7Y15-60EX | NXP |
获取价格 |
BUK7Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ standard |
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| BUK7Y18-55B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7Y18-75B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7Y18-75B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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