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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.057 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 285 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK456-100B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK456-100B,127 | NXP |
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32A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUK456-100B/B | ETC |
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TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
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| BUK456-100B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 32 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur |
|
| BUK456-200 | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK456-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK456-200A,127 | NXP |
获取价格 |
19A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUK456-200A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 19 A, 200 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| BUK456-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK456-200B,127 | NXP |
获取价格 |
BUK456-200B |
|
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