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BU807C

更新时间: 2024-11-12 20:37:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BU807C 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:60 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BU807C 数据手册

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