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BU808F1

更新时间: 2024-11-12 14:51:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

BU808F1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:700 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BU808F1 数据手册

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