Datasheet > BU103T

BU103T

更新时间： 2024-11-15 00:04:35

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	63K
描述
硅NPN 大功率晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BU103T 数据手册

硅大功率晶体管

BU103T

NPN

主要用途：

TO-92

电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。

主要特点：

硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。

封装形式：

TO-92

1. 基极 2. 集电极 3. 发射极

极限值：

( Tc=25 ℃)

参数名称

符号

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

Icm

额定值

≥400

≥600

≥9

单位

集电极－发射极击穿电压

集电极－基极击穿电压

发射极－基极击穿电压

最大集电极直流电流

最大耗散功率

1.5

Pcm

℃

最高结温

Tjm

150

贮存温度

Tstg

－55 ～150

电特性：

( Tc=25 ℃)

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小值最大值

集电极－发射极击穿电压

集电极－基极击穿电压

发射极－基极击穿电压

集电极－发射极反向漏电流

集电极－基极反向漏电流

发射极－基极反向漏电流

共发射极直流电流增益

集电极－发射极饱和压降

下降时间

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CEO

I_C=1mA；

I_E=1mA；

V_CE=350V；

V_CB=550V；

V_EB=7V；

V_CE=5V；

I_C=1A；

I_B=0

I_E=0

400

600

I_C=0

I_B=0

I_CBO

I_E=0

I_EBO

I_C=0

H_FE

I_C=0.2A

I_B=0.5A

0.6

0.3

V_CE(sat)

t_f

I_C=1A；I_B1=I_B2=0.2A；V_CE=300V

V_CE=10V；I_C=0.1A；f =1MHz

特征频率

f_T

MHz

深圳市晶导电子有限公司

12 3

中文翻译

下载PDF

与BU103T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU104	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BU105	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BU10-600	COILCRAFT	获取价格	Single Phase EMI Filter
BU10-6003	COILCRAFT	获取价格	Power Line Common Mode Chokes
BU10-6003R0B	COILCRAFT	获取价格	Single Phase EMI Filter
BU10-6003R0BL	COILCRAFT	获取价格	Single Phase EMI Filter, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
BU108	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BU-108K-0	ETC	获取价格	Insulated Kelvin Battery Clip
BU-108K-2	ETC	获取价格	Insulated Kelvin Battery Clip
BU109	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor